IT 之家 2 月 16 日讯息，据北京大学官方账号昨日共享，该校在非易失性存储器畛域得回突破性发达，电子学院邱朝阳 - 彭练矛团队初度提倡"纳米栅超低功耗铁电晶体管"，简直结束了超低功耗下的数据高效存储世界杯体育，相干恶果日前发表于《科学 · 发达》。

据先容，铁电晶体管欺诈铁电材料的极化翻转结束数据存储，是后摩尔芯片技巧中极具后劲的半导体存储器，受到学术界和业界鄙俚关爱，是破解"存储墙"和结束东说念主工智能底层架构调动的枢纽新技巧。

团队通过筹谋铁电存储的器件结构，引入纳米栅极电场集聚增强效应，研制出可在 0.6V 超低电压下责任的铁电晶体管，能耗裁减至 0.45 fJ/μm。团队还将物理栅长缩减到 1 纳米极限，为国际上迄今尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管，为构建高性能亚 1 纳米节点芯片和高算力 AI 芯片架构提供了更具后劲的新物理机制存储器件。

北京大学暗示，纳米栅极电场增强效应付优化铁电晶体管的筹谋具有普适性指令趣味趣味，可推广至鄙俚铁电材料体系。未来通过原子层千里积等门径 CMOS 工艺，有望研发出业界兼容的超低功耗铁电存储芯片。

现在，基于这项新机理已领先肯求兼容业界 NAND 结构和镶嵌式 SOC 架构的相干专利归并，酿成具有皆备自主常识产权的"纳米栅超低功耗铁电晶体管"结构和工艺技巧体系 ( 中国专利：202511671105.4 / 202511672017.6 / 202511674034.3 ) ，将助力我国在新式存储畛域冲突海外技巧壁垒。

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